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RU190N08S

N 沟道,80V,190A,3.9mΩ@10V

制造商:
Ruichips(锐骏半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 RU190N08S 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 80V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 190A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 4.8mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 312W(Tc)

库存:55,611

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥5.1012
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥5.1012 ¥5.1012
10+ ¥3.7752 ¥37.7520
30+ ¥3.5256 ¥105.7680
100+ ¥3.2838 ¥328.3800
500+ ¥3.1746 ¥1,587.3000
1,000+ ¥3.1278 ¥3,127.8000

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