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| 数据手册 | LND2N65 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 5.2Ω @ 1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 27W |
库存：50,211
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.9283
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥0.9283 | ￥0.9283 |
| 10+ | ￥0.6866 | ￥6.8660 |
| 30+ | ￥0.6422 | ￥19.2660 |
| 100+ | ￥0.5977 | ￥59.7700 |
| 500+ | ￥0.5780 | ￥289.0000 |
| 1,000+ | ￥0.5682 | ￥568.2000 |
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