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| 数据手册 | VBP1104N 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 50A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 35mΩ @ 30A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 375W |
库存：53,394
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥7.6674
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥7.6674 | ￥7.6674 |
| 10+ | ￥5.6394 | ￥56.3940 |
| 30+ | ￥5.2728 | ￥158.1840 |
| 100+ | ￥4.8984 | ￥489.8400 |
| 500+ | ￥4.7346 | ￥2,367.3000 |
| 1,000+ | ￥4.6488 | ￥4,648.8000 |
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