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LNE10R040W3

制造商:
LONTEN(龙腾半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 LNE10R040W3 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 120A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 4mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 147W(Tc)

库存:52,143

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥4.5708
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥4.5708 ¥4.5708
10+ ¥3.3540 ¥33.5400
30+ ¥3.1278 ¥93.8340
100+ ¥2.9016 ¥290.1600
500+ ¥2.8002 ¥1,400.1000
1,000+ ¥2.7534 ¥2,753.4000

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