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LSD65R570GT

制造商:
LONTEN(龙腾半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 LSD65R570GT 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 7A(Tc)
栅源极阈值电压 4.5V @ 250uA
漏源导通电阻 570mΩ @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 31W(Tc)

库存:51,148

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥2.9484
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥2.9484 ¥2.9484
10+ ¥2.1606 ¥21.6060
30+ ¥2.0202 ¥60.6060
100+ ¥1.8720 ¥187.2000
500+ ¥1.8096 ¥904.8000
1,000+ ¥1.7784 ¥1,778.4000

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