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CEF02N6G

N沟道,600V,2.2A

制造商:
CET(华瑞)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 CEF02N6G 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 2.2A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 33W

库存:58,195

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.3923
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.3923 ¥1.3923
10+ ¥1.0298 ¥10.2980
30+ ¥0.9631 ¥28.8930
100+ ¥0.8965 ¥89.6500
500+ ¥0.8670 ¥433.5000
1,000+ ¥0.8524 ¥852.4000

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