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| 数据手册 | LNH2N65 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 5.2Ω @ 1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 35W |
库存：52,430
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.5889
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 5+ | ￥0.5889 | ￥2.9445 |
| 50+ | ￥0.4330 | ￥21.6500 |
| 150+ | ￥0.4043 | ￥60.6450 |
| 500+ | ￥0.3756 | ￥187.8000 |
| 2,500+ | ￥0.3629 | ￥907.2500 |
| 5,000+ | ￥0.3566 | ￥1,783.0000 |
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