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VBFB1104N

制造商:
VBsemi(台湾微碧)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 VBFB1104N 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 35A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 36mΩ @ 35A,10V

库存:55,302

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.8330
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.8330 ¥1.8330
10+ ¥1.3572 ¥13.5720
30+ ¥1.2636 ¥37.9080
100+ ¥1.1778 ¥117.7800
500+ ¥1.1388 ¥569.4000
1,000+ ¥1.1232 ¥1,123.2000

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