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| 数据手册 | VBM1151N 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 150V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 100A |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 8.5mΩ @ 100A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 375W |
库存：55,468
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.6300
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.6300 | ￥6.6300 |
| 10+ | ￥4.8828 | ￥48.8280 |
| 30+ | ￥4.5630 | ￥136.8900 |
| 100+ | ￥4.2432 | ￥424.3200 |
| 500+ | ￥4.0950 | ￥2,047.5000 |
| 1,000+ | ￥4.0248 | ￥4,024.8000 |
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