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LND7N60D

制造商:
LONTEN(龙腾半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 LND7N60D 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 7A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 1.3Ω @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 39W

库存:52,248

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.5444
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.5444 ¥1.5444
10+ ¥1.1310 ¥11.3100
30+ ¥1.0530 ¥31.5900
100+ ¥0.9828 ¥98.2800
500+ ¥0.9438 ¥471.9000
1,000+ ¥0.9282 ¥928.2000

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