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| 数据手册 | LNU2N65 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 5.2Ω @ 1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 27W(Tc) |
库存：50,534
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.5594
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 5+ | ￥0.5594 | ￥2.7970 |
| 50+ | ￥0.4113 | ￥20.5650 |
| 150+ | ￥0.3841 | ￥57.6150 |
| 500+ | ￥0.3568 | ￥178.4000 |
| 2,500+ | ￥0.3448 | ￥862.0000 |
| 5,000+ | ￥0.3388 | ￥1,694.0000 |
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