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KIA10N80HF

N沟道,800V,10A

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 KIA10N80HF 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 800V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 10A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 1.1Ω @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 42W

库存:58,077

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥4.0482
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥4.0482 ¥4.0482
10+ ¥2.9952 ¥29.9520
30+ ¥2.8002 ¥84.0060
100+ ¥2.6052 ¥260.5200
500+ ¥2.5194 ¥1,259.7000
1,000+ ¥2.4804 ¥2,480.4000

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