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LSDN60R950HT

制造商:
LONTEN(龙腾半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 LSDN60R950HT 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4A(Tc)
栅源极阈值电压 4.5V @ 250uA
漏源导通电阻 950mΩ @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 25W(Tc)

库存:56,729

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥1.8642
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥1.8642 ¥1.8642
10+ ¥1.3650 ¥13.6500
30+ ¥1.2792 ¥38.3760
100+ ¥1.1856 ¥118.5600
500+ ¥1.1466 ¥573.3000
1,000+ ¥1.1232 ¥1,123.2000

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