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| 数据手册 | VBM1208N 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 200V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 40A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 60mΩ @ 40A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 300W |
库存：50,134
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.9702
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥3.9702 | ￥3.9702 |
| 10+ | ￥2.9328 | ￥29.3280 |
| 30+ | ￥2.7378 | ￥82.1340 |
| 100+ | ￥2.5506 | ￥255.0600 |
| 500+ | ￥2.4648 | ￥1,232.4000 |
| 1,000+ | ￥2.4180 | ￥2,418.0000 |
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