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LSGG08R060W3

制造商:
LONTEN(龙腾半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 LSGG08R060W3 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 85V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 80A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 6mΩ @ 50A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 96W(Tc)

库存:50,147

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥2.4258
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥2.4258 ¥2.4258
10+ ¥1.7940 ¥17.9400
30+ ¥1.6770 ¥50.3100
100+ ¥1.5600 ¥156.0000
500+ ¥1.5132 ¥756.6000
1,000+ ¥1.4820 ¥1,482.0000

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