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| 数据手册 | VBM1105 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 100V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 120A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 5mΩ @ 120A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 370W |
库存：56,249
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.3024
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.3024 | ￥6.3024 |
| 10+ | ￥4.6410 | ￥46.4100 |
| 30+ | ￥4.3368 | ￥130.1040 |
| 100+ | ￥4.0326 | ￥403.2600 |
| 500+ | ￥3.8922 | ￥1,946.1000 |
| 1,000+ | ￥3.8298 | ￥3,829.8000 |
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