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| 数据手册 | WNMD2167-6/TR 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | 双N沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | -20V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 5.7A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 21mΩ @ 6.3A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 900mW |
库存：51,074
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥0.5989
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 5+ | ￥0.5989 | ￥2.9945 |
| 50+ | ￥0.4430 | ￥22.1500 |
| 150+ | ￥0.4143 | ￥62.1450 |
| 500+ | ￥0.3856 | ￥192.8000 |
| 2,500+ | ￥0.3729 | ￥932.2500 |
| 5,000+ | ￥0.3666 | ￥1,833.0000 |
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