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RU1H130S

N沟道,100V,130A,9mΩ@10V

制造商:
Ruichips(锐骏半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 RU1H130S 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 130A(Tc)
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 9mΩ @ 65A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 300W(Tc)

库存:52,735

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥3.7440
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥3.7440 ¥3.7440
10+ ¥2.7690 ¥27.6900
30+ ¥2.5896 ¥77.6880
100+ ¥2.4102 ¥241.0200
500+ ¥2.3322 ¥1,166.1000
1,000+ ¥2.2932 ¥2,293.2000

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