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| 数据手册 | VBM2610N 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | P沟道 |
| 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 20A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 62mΩ @ 20A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 60W |
库存：53,645
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥1.6458
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥1.6458 | ￥1.6458 |
| 10+ | ￥1.2168 | ￥12.1680 |
| 30+ | ￥1.1310 | ￥33.9300 |
| 100+ | ￥1.0530 | ￥105.3000 |
| 500+ | ￥1.0218 | ￥510.9000 |
| 1,000+ | ￥1.0062 | ￥1,006.2000 |
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