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LND2N60

制造商:
LONTEN(龙腾半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 LND2N60 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 2A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 4.5Ω @ 1A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 27W

库存:52,618

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.8539
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥0.8539 ¥0.8539
10+ ¥0.6277 ¥6.2770
30+ ¥0.5862 ¥17.5860
100+ ¥0.5447 ¥54.4700
500+ ¥0.5263 ¥263.1500
1,000+ ¥0.5171 ¥517.1000

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