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数据手册 | LND2N60 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 600V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 2A |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 4.5Ω @ 1A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 27W |
库存:52,618
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥0.8539
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥0.8539 | ¥0.8539 |
10+ | ¥0.6277 | ¥6.2770 |
30+ | ¥0.5862 | ¥17.5860 |
100+ | ¥0.5447 | ¥54.4700 |
500+ | ¥0.5263 | ¥263.1500 |
1,000+ | ¥0.5171 | ¥517.1000 |
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