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MDD1951

N沟道,60V,17.9A,45.0mΩ@10V

制造商:
MagnaChip
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 MDD1951RH 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 60V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 17.9A
栅源极阈值电压 3V @ 250uA
漏源导通电阻 45mΩ @ 17A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 2W

库存:57,389

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥0.9298
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥0.9298 ¥0.9298
10+ ¥0.6764 ¥6.7640
30+ ¥0.6299 ¥18.8970
100+ ¥0.5834 ¥58.3400
500+ ¥0.5627 ¥281.3500
1,000+ ¥0.5525 ¥552.5000

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