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RU1H80R

N 沟道,100V,80A,9mΩ@10V

制造商:
Ruichips(锐骏半导体)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 RU1H80R 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 100V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 80A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 12mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 188W

库存:54,008

交货地:
国内
最小包装:
1
参考单价:
¥3.0888
数量 单价(含税) 总计
1+ ¥3.0888 ¥3.0888
10+ ¥2.3088 ¥23.0880
30+ ¥2.1684 ¥65.0520
100+ ¥2.0202 ¥202.0200
500+ ¥1.9578 ¥978.9000
1,000+ ¥1.9266 ¥1,926.6000

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