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数据手册 | TDM3736 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 100V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 112A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 4.2mΩ @ 20A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 104W(Tc) |
库存:58,142
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥4.8594
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥4.8594 | ¥4.8594 |
10+ | ¥3.5724 | ¥35.7240 |
30+ | ¥3.3384 | ¥100.1520 |
100+ | ¥3.1044 | ¥310.4400 |
500+ | ¥2.9952 | ¥1,497.6000 |
1,000+ | ¥2.9484 | ¥2,948.4000 |
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