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| 数据手册 | XGP6508B 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOS(场效应管) |
| 类型 | 氮化镓(GaN)功率晶体管 |
| 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 21A |
| 栅源极阈值电压 | 1.62V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 150mΩ @ 4A,8V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 83W |
库存：51,673
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥31.1142
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥31.1142 | ￥31.1142 |
| 10+ | ￥26.7462 | ￥267.4620 |
| 30+ | ￥25.9428 | ￥778.2840 |
| 100+ | ￥25.1472 | ￥2,514.7200 |
| 500+ | ￥24.7884 | ￥12,394.2000 |
| 1,000+ | ￥24.3438 | ￥24,343.8000 |
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