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数据手册 | CES2314 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 4A |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 50mΩ @ 4A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.25W |
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产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | MOS(场效应管) |
类型 | N沟道 |
漏源电压(Vdss) | 30V |
连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 4A |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA |
漏源导通电阻 | 50mΩ @ 4A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.25W |