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WCM2068-6/TR

N+P双沟道,20V/4.4A(-20V/-2.8A)

制造商:
WILLSEMI(韦尔)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

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产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道和P沟道
漏源电压(Vdss) 20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4.4A,2.8A
栅源极阈值电压 1V @ 250uA
漏源导通电阻 46mΩ @ 3.4A,4.5V;116mΩ @ 2.8A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C) 720mW

库存:51,676

交货地:
国内
最小包装:
1

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