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SVF4N60DTR

N沟道,600V,4A,2.4Ω@10V

制造商:
SILAN(士兰微)
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

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产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 600V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 4A
栅源极阈值电压 4V @ 250uA
漏源导通电阻 2.4Ω @ 2A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 77W