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KNH8150A

N沟道 30A 500V

制造商:
KIA 半导体
产品类别
MOS(场效应管)
无铅情况/RoHS:
供货:
商城自营

文档与媒体

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产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOS(场效应管)
类型 N沟道
漏源电压(Vdss) 500V
连续漏极电流(Id)(25°C 时) 30A
栅源极阈值电压 4.5V @ 250uA
漏源导通电阻 200mΩ @ 15A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C) 333W