LTC5589 700MHz 至 6GHz 低功率直接正交调制器

LTC5589 是一款专为低功率无线应用而设计的直接转换 I/Q 调制器，其可在一个 RF 载波上实现差分基带 I 和 Q 信号的直接调制。通过给 I 和 Q 输入端施加 90° 相移信号可以实现单边带调制或边带抑制上变频。可把 I/Q 基带输入端口 AC 或 DC 耦合至一个具有大约 1.4V 共模电压电平的电源。SPI 接口负责控制电源电流、调制器增益，并提供 I 和 Q 增益及相位失

ADMV1013 24 GHz至44 GHz、宽带微波上变频器

ADMV1013 是一款专门针对点对点微波无线电设计进行优化的宽带微波升频器，其工作射频 (RF) 范围为 24 GHz 至 44 GHz。该升频器提供两种频率转换模式。此套件能够从基带同相正交 (I/Q) 输入信号直接转换为 RF，以及从复杂中频 (IF) 输入进行单边带 (SSB) 升频转换。可以禁用基带 I/Q 输入路径，而且可以在 IF 路径中插入 0.8 GHz 至 6.0 GHz 范围

HMC1022A-Die GaAs pHEMT MMIC 0.25 W功率放大器，DC - 48 GHz

HMC1022A是一款GaAs pHEMT MMIC分布式功率放大器，工作频率范围为DC至48 GHz。 本放大器提供12 dB增益，32 dBm输出IP 3和+22 dBm输出功率（1 dB增益压缩），功耗为150 mA（采用+10 V电源）。 HMC1022A在10至35 GHz范围内具有略正增益斜率，因而非常适合EW、ECM、雷达和测试设备应用。 HMC1022A放大器I/O内部匹配50 &

ADL8107 GaAs、pHEMT、MMIC、低噪声放大器，6 GHz至18 GHz

ADL8107是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波IC (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)低噪声宽带、高线性度放大器，工作频率范围为6 GHz至18 GHz。ADL8107在7 GHz至16 GHz范围内提供24 dB的典型增益，在7 GHz至16 Ghz范围内的典型噪声系数为1.3 dB，在7 GHz至16 GHz范围内具有1 dB压缩(OP1dB)，典型输出功率为18.5 dB

ADL8150 GaAs、HBT、MMIC、低相位噪声放大器，6 GHz至14 GHz

ADL8150是一款自偏置砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、异质结双极性晶体管(HBT)、低相位噪声放大器，工作频率范围为6 GHz至14 GHz。该放大器提供13 dB增益，1 dB增益压缩(P1dB)时19 dBm的输出功率，7 GHz至11 GHz时31.5 dBm的输出三阶交调点(IP3)。此放大器采用5 V电源(VCC)供电，提供76 mA静态集电极电流(ICQ)。AD

开启校企技术合作！高新区这个集成电路研究院成立！

在这播种的季节，在珠海市科创局和珠海高新区管委会的大力支持和指导下，炬芯科技股份有限公司（以下简称炬芯）和广东工业大学集成电路学院（以下简称广工）正式联合设立集成电路研究院，开启校企技术合作，共探产业化集成电路人才培养新模式。去年六月，珠海市副市长李翀曾与广东工业大学校长邱学青会面，深入探讨了如何解决珠海高端集成电路人才紧缺的问题，炬芯广工集成电路研究院就是基于这样一个合作契机成立的。广工派驻五位

因5G专利费，诺基亚等公司被国家市场监督管理总局调查

据国外媒体MLex报道，中国国家市场监督管理总局反垄断局正在调查诺基亚等5G专利持有人在许可费方面的反垄断问题，向被调查公司发放了调查问卷，以了解5G SEP许可的定价策略以及他们关于销售禁令的立场。事实上，通信SEP许可费率和及许可条件问题一直是多年以来困扰行业的顽疾，由此也掀起了多起在全球范围内的知识产权大战，我国反垄断部门对此也高度重视，两个著名案例也成为最有力的证明。2013年，高通由于涉

高通收购Cellwize，加速推动5G普及和边缘侧网络基础设施创新

高通日前宣布，已收购移动网络自动化与管理领军企业Cellwize，以进一步增强高通技术公司在推动5G RAN创新和普及方面的领先优势。Cellwize的5G网络部署、自动化和管理软件平台能力，进一步强化了高通技术公司的5G基础设施解决方案，从而推动行业数字化转型、赋能智能网联边缘并支持云经济的增长。Cellwize领先的云原生、多供应商RAN自动化和管理平台，结合高通技术公司行业领先的5G RAN

长川科技半导体AOI设备业务总部签约落户苏州工业园区

长川科技半导体AOI设备业务总部落户苏州工业园区。长川科技是一家集成电路封测装备上市公司，也是国家集成电路产业基金投资的第一家封测装备企业，2021年营业收入15亿元。此次签约的长川科技（苏州）有限公司项目计划落户在苏州工业园区人工智能产业园，是长川科技在国内成立的首个独立半导体AOI业务总部，计划未来五年内，苏州公司人员规模将达到600人，知识产权申请数量超150件。苏州工业园区发布消息显示，长

加速12英寸大硅片国产化 西安奕斯伟硅产业基地扩产项目开工

6月14日，西安奕斯伟硅产业基地扩产项目于西安市高新区开工，奕斯伟硅产业基地目前拥有一座50万片/月产能的12英寸硅片工厂，已于2020年7月投产，为多家海内外晶圆厂提供抛光片和外延片。本次扩产项目投产后将进一步提升我国半导体硅产业技术实力，强化集成电路产业链综合竞争力。近两年来，受多重因素影响，集成电路产业产能紧俏，作为上游原材料的大硅片需求不断攀升。然而，我国集成电路产业关键原材料尚处于发展初

热门资讯

热门产品