中国开发了更先进的GAA绕栅极晶体管。然而，由于美国和其他国家的制裁政策，GAA围网极晶体管技术已被禁止向中国提供，这将对中国芯片行业造成沉重打击。据媒体报道，中国科学院已经征服了一项主要的2nm工艺技术——层压垂直纳米环格栅晶体管。

目前，全球芯片行业都专注于2nm工艺。台积电、三星、IBM等芯片巨头也纷纷宣布了2nm工艺技术的相关消息。台积电和三星已经开始大规模生产3nm工艺，而在中国大陆，芯片行业仍处于7nm工艺研发阶段。

由于中国的工业起步较晚，许多技术必须从其他国家和地区购买。然而，美国和其他力量对中国的半导体行业实施了制裁政策。因此，中国在芯片OEM和光刻机供应方面几乎处于孤立状态，只能依靠自身的研发来促进AD7893AR-2芯片技术的发展。

晶体管是芯片中的一个组件。随着科学技术的进步，芯片中晶体管的数量越来越多。过去，旧的晶体管结构已不能满足要求，因此开发了应用最广泛的FinFet晶体管。这是一种3D晶体管，它的出现大大提高了芯片的性能。目前广泛应用于22nm、16nm、7nm等工艺工艺。然而，这种晶体管仍然有局限性。在7nm后的先进工艺中，FinFetch晶体管不再适用。此时，开发了更先进的GAA绕栅极晶体管。目前，这是最先进的晶体管技术。

然而，由于美国和其他国家的制裁政策，GAA围网极晶体管技术已被禁止向中国提供，这将对中国芯片行业造成沉重打击。幸运的是，在研究人员的不断努力下，中国的芯片技术终于取得了重大突破。据媒体报道，中国科学院已经征服了一项主要的2nm工艺技术——层压垂直纳米环格栅晶体管。

据了解，中国科学院征服的层压垂直纳米环栅晶体管技术比GAA环栅极晶体管技术更先进。这种新的晶体管技术是2nm工艺的关键技术，也就是说，中国在2nm工艺方面取得了成功的突破。

但即便如此，叠层垂直纳米环栅晶体管也只是2nm工艺中许多关键技术的一部分，要实现2nm技术还有很长的路要走。