HMC787A是一款通用型双平衡混频器,采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装,可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。

产品详情

HMC787ALC3B

HMC787A是一款通用型双平衡混频器,采用符合RoHS标准的12引脚陶瓷无铅芯片载体(LCC)封装,可用作3 GHz至10 GHz范围内的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,无需外部元件或匹配电路。HMC787A通过优化的巴伦结构提供出色的本振(LO)至射频(RF)及LO至中频(IF)隔离性能,采用17 dBm的LO驱动电平工作。陶瓷LCC封装无需线焊,与高容量表贴制造技术兼容。

HMC787AG(芯片)

HMC787AG是一款通用型双平衡混频器,可用作3 GHz至10 GHz频率范围的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓(GaAs)金属半导体场效应晶体管(MESFET)工艺制造,无需外部元件或匹配电路。

HMC787AG通过优化的巴伦结构提供高本振(LO)至RF及LO至中频(IF)隔离性能,采用13 dBm至21 dBm的LO驱动电平工作。

应用

  • 微波无线电
  • 工业、科研和医疗(ISM)频段和超宽频段(UWB)无线电
  • 测试设备和传感器
  • 军用最终用途

优势和特点

HMC787ALC3B
  • 转换损耗:9 dB(典型值,3 GHz至9 GHz时)
  • 本振(LO)至射频(IF)隔离:43 dB(典型值,3 GHz至9 GHz时)
  • RF至中频(IF)隔离:26 dB(典型值,3 GHz至9 GHz时)
  • 输入三阶交调截点(IP3):24 dBm(典型值,3 GHz至9 GHz时)
  • 输入1 dB压缩点(P1dB):17 dBm(典型值,3 GHz至9 GHz时)
  • 输出二阶交调截点(IP2):67 dBm(典型值,3 GHz至9 GHz时)
  • 无源双平衡拓扑结构
  • 宽IF频率范围:DC至4 GHz
  • 12引脚、陶瓷、无铅芯片载体(LCC)封装
HMC787AG(芯片)
下变频器
  • 变频损耗
    • 8 dB(典型值,3 GHz至7 GHz)
    • 10 dB(典型值,7 GHz至10 GHz)
  • LO至IF隔离
    • 44 dB(典型值,3 GHz至7 GHz)
    • 42 dB(典型值,7 GHz至10 GHz)
  • RF至IF隔离
    • 21 dB(典型值,3 GHz至7 GHz)
    • 32 dB(典型值,7 GHz至10 GHz)
  • 输入IP3
    • 22 dBm(典型值,3 GHz至7 GHz)
    • 28 dBm(典型值,7 GHz至10 GHz)
  • 输入P1dB
    • 15 dBm(典型值,3 GHz至7 GHz)
    • 17 dBm(典型值,7 GHz至10 GHz)
  • 无源双平衡拓扑结构
  • 宽IF频率范围:DC至4 GHz
  • 6焊盘、裸片[芯片]
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