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| 数据手册 | FS50R12W2T4_B11 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 模块 |
| 产品 | IGBT Silicon Modules |
| 封装 | Tray |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| Pd-功率耗散 | 335 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 1200 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 2.15 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 83 A |
| 栅极—射极漏泄电流 | 100 nA |
库存：56,210
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥323.3240
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥323.3240 | ￥323.3240 |
| 5+ | ￥313.6550 | ￥1,568.2750 |
| 10+ | ￥304.2328 | ￥3,042.3280 |
| 25+ | ￥295.1280 | ￥7,378.2000 |
| 50+ | ￥286.2699 | ￥14,313.4950 |
| 100+ | ￥264.5170 | ￥26,451.7000 |
| 250+ | ￥254.7246 | ￥63,681.1500 |
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