STGP6M65DF2
IGBT 晶体管 PTD HIGH VOLTAGE
- 制造商：
- STMicroelectronics
- 产品类别
- IGBT 晶体管
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | STGP6M65DF2 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | IGBT 晶体管 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 系列 | STGP6M65DF2 |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 88 W |
| 集电极—发射极最大电压 VCEO | 650 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1.55 V |
| 在25 C的连续集电极电流 | 12 A |
| 栅极/发射极最大电压 | 20 V |
库存：56,849
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.6898
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.6898 | ￥6.6898 |
| 10+ | ￥5.7203 | ￥57.2030 |
| 100+ | ￥4.2836 | ￥428.3600 |
| 250+ | ￥4.1602 | ￥1,040.0500 |
| 500+ | ￥3.6402 | ￥1,820.1000 |
| 1,000+ | ￥2.9615 | ￥2,961.5000 |
| 2,000+ | ￥2.8734 | ￥5,746.8000 |
| 5,000+ | ￥2.6530 | ￥13,265.0000 |
| 10,000+ | ￥2.5384 | ￥25,384.0000 |
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