SCT2H12NYTB
MOSFET N-Ch 1700V 4A 44W SiC Silicon Carbide
- 制造商：
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SCT2H12NYTB 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-268-2L |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 44 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 22 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1700 V |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 1.15 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| Qg-栅极电荷 | 14 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：52,953
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥33.5813
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥33.5813 | ￥33.5813 |
| 10+ | ￥28.5045 | ￥285.0450 |
| 100+ | ￥24.7233 | ￥2,472.3300 |
| 250+ | ￥23.9829 | ￥5,995.7250 |
| 400+ | ￥22.7401 | ￥9,096.0400 |
| 800+ | ￥17.2226 | ￥13,778.0800 |
| 2,400+ | ￥16.8524 | ￥40,445.7600 |
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