SCT3120ALGC11
MOSFET N-Ch 650V SiC 21A 120mOhm TrenchMOS
- 制造商：
- ROHM Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | SCT3120ALGC11 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-247N-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SiC |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 103 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | - 4 V, 22 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| Id-连续漏极电流 | 21 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.7 V |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：53,414
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥44.9250
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥44.9250 | ￥44.9250 |
| 10+ | ￥40.5885 | ￥405.8850 |
| 25+ | ￥38.7287 | ￥968.2175 |
| 100+ | ￥33.5813 | ￥3,358.1300 |
| 250+ | ￥32.1006 | ￥8,025.1500 |
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