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    BSC16DN25NS3 G

    MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 BSC16DN25NS3 G 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 PG-TDSON-8
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 62.5 W
    Vgs - 栅极-源极电压 10 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 250 V
    Id-连续漏极电流 10.9 A
    Rds On-漏源导通电阻 165 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
    Qg-栅极电荷 8.6 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:51,663

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥10.3476
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥10.3476 ¥10.3476
    10+ ¥8.7347 ¥87.3470
    100+ ¥6.6281 ¥662.8100
    500+ ¥5.7996 ¥2,899.8000
    5,000+ ¥4.4951 ¥22,475.5000
    10,000+ ¥4.3277 ¥43,277.0000

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