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| 数据手册 | IPP034NE7N3 G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | OptiMOS |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 214 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 3.4 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 3.1 V |
| Qg-栅极电荷 | 88 nC |
库存：52,166
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥18.2802
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥18.2802 | ￥18.2802 |
| 10+ | ￥15.5567 | ￥155.5670 |
| 100+ | ￥12.4542 | ￥1,245.4200 |
| 500+ | ￥11.0263 | ￥5,513.1500 |
| 1,000+ | ￥10.4710 | ￥10,471.0000 |
| 2,500+ | ￥10.1625 | ￥25,406.2500 |
| 5,000+ | ￥9.8541 | ￥49,270.5000 |
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