文档与媒体
| 数据手册 | IPP100N08S2L-07 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 资格 | AEC-Q101 |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 封装 / 箱体 | TO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | OptiMOS |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 20 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 5 MOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
| Qg-栅极电荷 | 246 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：51,778
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥18.5887
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥18.5887 | ￥18.5887 |
| 10+ | ￥15.8035 | ￥158.0350 |
| 100+ | ￥12.6393 | ￥1,263.9300 |
| 500+ | ￥11.2114 | ￥5,605.7000 |
| 1,000+ | ￥9.9158 | ￥9,915.8000 |
| 2,500+ | ￥9.6073 | ￥24,018.2500 |
| 5,000+ | ￥9.2988 | ￥46,494.0000 |
申请更低价? 请联系客服
