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    IPW65R190C7XKSA1

    MOSFET HIGH POWER_NEW

    制造商:
    Infineon Technologies
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 IPW65R190C7XKSA1 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Tube
    最小工作温度 - 55 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    商标名 CoolMOS
    配置 Single
    Pd-功率耗散 72 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 650 V
    Id-连续漏极电流 13 A
    Rds On-漏源导通电阻 168 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 3 V
    Qg-栅极电荷 23 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:50,146

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥21.3123
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥21.3123 ¥21.3123
    10+ ¥18.1568 ¥181.5680
    100+ ¥14.4990 ¥1,449.9000
    500+ ¥12.8861 ¥6,443.0500
    1,000+ ¥12.2074 ¥12,207.4000
    2,500+ ¥11.8372 ¥29,593.0000
    5,000+ ¥11.5287 ¥57,643.5000

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