| 产品属性 |
属性值 |
| 产品目录 |
MOSFET |
| 安装风格 |
Through Hole |
| 封装 |
Tube |
| 最小工作温度 |
- 40 C |
| 最大工作温度 |
+ 150 C |
| 封装 / 箱体 |
PG-TO-251-3 |
| 通道数量 |
1 Channel |
| 技术 |
SI |
| 配置 |
Single |
| Pd-功率耗散 |
17.6 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 |
16 V |
| 晶体管极性 |
N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 |
700 V |
| Id-连续漏极电流 |
3 A |
| Rds On-漏源导通电阻 |
1.64 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 |
2.5 V |
| Qg-栅极电荷 |
3.8 nC |
| 通道模式 |
Enhancement |
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥3.6578
| 数量 |
单价（含税） |
总计 |
|
1+
|
￥3.6578 |
￥3.6578 |
|
10+
|
￥2.9351 |
￥29.3510 |
|
100+
|
￥1.7011 |
￥170.1100 |
|
1,000+
|
￥1.3838 |
￥1,383.8000 |
|
2,500+
|
￥1.1723 |
￥2,930.7500 |
|
10,000+
|
￥1.1370 |
￥11,370.0000 |
|
25,000+
|
￥1.1018 |
￥27,545.0000 |
|
50,000+
|
￥1.0753 |
￥53,765.0000 |
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