TSM4NB60CI C0G
MOSFET 600V, 4A, Single N-Channel Power MOSFET
- 制造商：
- Taiwan Semiconductor
- 产品类别
- MOSFET
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | TSM4NB60CI C0G 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | ITO-220-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 25 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 2.2 Ohms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 14.5 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：59,087
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥6.3196
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥6.3196 | ￥6.3196 |
| 10+ | ￥5.6674 | ￥56.6740 |
| 100+ | ￥4.0280 | ￥402.8000 |
| 500+ | ￥3.4110 | ￥1,705.5000 |
| 1,000+ | ￥3.1642 | ￥3,164.2000 |
| 2,000+ | ￥2.8646 | ￥5,729.2000 |
| 4,000+ | ￥2.7235 | ￥10,894.0000 |
| 10,000+ | ￥2.6618 | ￥26,618.0000 |
| 24,000+ | ￥2.6089 | ￥62,613.6000 |
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