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    R6030ENZ1C9

    MOSFET 10V Drive Nch MOSFET

    制造商:
    ROHM Semiconductor
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 R6030ENZ1C9 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 Through Hole
    封装 Cut Tape, Reel
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 TO-247-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 120 W
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 600 V
    Id-连续漏极电流 30 A
    Rds On-漏源导通电阻 115 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
    Qg-栅极电荷 85 nC
    通道模式 Enhancement

    库存:58,521

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥33.0261
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥33.0261 ¥33.0261
    10+ ¥28.0726 ¥280.7260
    100+ ¥24.2914 ¥2,429.1400
    250+ ¥23.0486 ¥5,762.1500
    450+ ¥20.6953 ¥9,312.8850
    900+ ¥17.4693 ¥15,722.3700
    2,250+ ¥16.6056 ¥37,362.6000

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