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    SSM3J112TU,LF

    MOSFET Small-signal MOSFET ID=-1.1A VDSS=-30V

    制造商:
    Toshiba
    产品类别
    MOSFET
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

    数据手册 SSM3J112TU,LF 点击下载

    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 MOSFET
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, Reel
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 UFM-3
    通道数量 1 Channel
    技术 SI
    配置 Single
    Pd-功率耗散 800 mW
    Vgs - 栅极-源极电压 20 V
    晶体管极性 P-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 30 V
    Id-连续漏极电流 1.1 A
    Rds On-漏源导通电阻 310 mOhms
    Vgs th-栅源极阈值电压 1.8 V
    通道模式 Enhancement

    库存:55,361

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥3.2876
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥3.2876 ¥3.2876
    10+ ¥1.8950 ¥18.9500
    100+ ¥0.8990 ¥89.9000
    1,000+ ¥0.6937 ¥693.7000
    3,000+ ¥0.5703 ¥1,710.9000
    9,000+ ¥0.5209 ¥4,688.1000
    24,000+ ¥0.4892 ¥11,740.8000
    45,000+ ¥0.4398 ¥19,791.0000
    99,000+ ¥0.4213 ¥41,708.7000

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