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| 数据手册 | IXFA18N60X 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | MOSFET |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | TO-263AA-3 |
| 通道数量 | 1 Channel |
| 技术 | SI |
| 商标名 | HiPerFET |
| 配置 | Single |
| Pd-功率耗散 | 320 W |
| Vgs - 栅极-源极电压 | 30 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| Rds On-漏源导通电阻 | 230 mOhms |
| Vgs th-栅源极阈值电压 | 2.5 V |
| Qg-栅极电荷 | 35 nC |
| 通道模式 | Enhancement |
库存：55,762
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥50.6276
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥50.6276 | ￥50.6276 |
| 10+ | ￥45.2334 | ￥452.3340 |
| 25+ | ￥39.3457 | ￥983.6425 |
| 50+ | ￥38.5436 | ￥1,927.1800 |
| 100+ | ￥37.1158 | ￥3,711.5800 |
| 250+ | ￥31.6599 | ￥7,914.9750 |
| 500+ | ￥30.0557 | ￥15,027.8500 |
| 1,000+ | ￥25.3403 | ￥25,340.3000 |
| 2,500+ | ￥21.7530 | ￥54,382.5000 |
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