文档与媒体
数据手册 | IXFA8N65X2 点击下载 |
---|
产品规格
产品属性 | 属性值 |
---|---|
产品目录 | MOSFET |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
最小工作温度 | - 55 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-263-3 |
通道数量 | 1 Channel |
技术 | SI |
商标名 | HiPerFET |
配置 | Single |
Pd-功率耗散 | 150 W |
Vgs - 栅极-源极电压 | 10 V |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
Id-连续漏极电流 | 8 A |
Rds On-漏源导通电阻 | 450 mOhms |
Vgs th-栅源极阈值电压 | 3 V |
Qg-栅极电荷 | 11 nC |
通道模式 | Enhancement |
库存:55,067
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥19.3908
数量 | 单价(含税) | 总计 |
---|---|---|
1+ | ¥19.3908 | ¥19.3908 |
10+ | ¥17.5310 | ¥175.3100 |
25+ | ¥15.3011 | ¥382.5275 |
50+ | ¥14.3139 | ¥715.6950 |
100+ | ¥14.1288 | ¥1,412.8800 |
250+ | ¥11.4670 | ¥2,866.7500 |
500+ | ¥10.9646 | ¥5,482.3000 |
1,000+ | ¥9.1049 | ¥9,104.9000 |
2,500+ | ¥7.6241 | ¥19,060.2500 |
申请更低价? 请联系客服