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TSM80N1R2CL C0G

MOSFET 800V, 5.5A, Single N-Channel Power MOSFET

制造商:
Taiwan Semiconductor
产品类别
MOSFET
无铅情况/RoHS:
无铅/符合RoHS
供货:
商城自营

文档与媒体

数据手册 TSM80N1R2CL C0G 点击下载

产品规格

产品属性 属性值
产品目录 MOSFET
安装风格 Through Hole
封装 Tube
最小工作温度 - 55 C
最大工作温度 + 150 C
封装 / 箱体 TO-262-3
通道数量 1 Channel
技术 SI
配置 Single
Pd-功率耗散 110 W
Vgs - 栅极-源极电压 10 V
晶体管极性 N-Channel
Vds-漏源极击穿电压 800 V
Id-连续漏极电流 5.5 A
Rds On-漏源导通电阻 900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压 2 V
Qg-栅极电荷 19.4 nC
通道模式 Enhancement

库存:57,084

交货地:
国内
最小包装:
4000
参考单价:
¥9.7924
数量 单价(含税) 总计
4,000+ ¥9.7924 ¥39,169.6000

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