MRFE6VS25LR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6E 25W50V NI360L
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRFE6VS25LR5 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | NI-360-2 |
| 增益 | 25.9 dB |
| 技术 | SI |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 140 V |
库存：59,965
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥345.4383
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥345.4383 | ￥345.4383 |
| 5+ | ￥340.9784 | ￥1,704.8920 |
| 10+ | ￥324.4962 | ￥3,244.9620 |
| 25+ | ￥314.0252 | ￥7,850.6300 |
| 50+ | ￥310.9315 | ￥15,546.5750 |
| 100+ | ￥291.0383 | ￥29,103.8300 |
| 250+ | ￥282.3036 | ￥70,575.9000 |
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