MRF1K50HR5
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V
- 制造商:
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | MRF1K50HR5 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最小工作温度 | - 40 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | NI-1230H-4S |
增益 | 23.7 dB |
技术 | SI |
输出功率 | 1.5 kW |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | - 500 mV, 135 V |
Id-连续漏极电流 | 2.4 A |
库存:57,265
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥1,245.3829
数量 | 单价(含税) | 总计 |
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1+ | ¥1,245.3829 | ¥1,245.3829 |
5+ | ¥1,232.6203 | ¥6,163.1015 |
10+ | ¥1,192.7105 | ¥11,927.1050 |
25+ | ¥1,166.3831 | ¥29,159.5775 |
50+ | ¥1,160.4953 | ¥58,024.7650 |
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