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    MRF1K50HR5

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Airfast RF Power LDMOS Transistor, 1500 W CW, 1.8-500 MHz, 50 V

    制造商:
    NXP Semiconductors
    产品类别
    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    无铅情况/RoHS:
    无铅/符合RoHS
    供货:
    商城自营

    文档与媒体

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    产品规格

    产品属性 属性值
    产品目录 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
    安装风格 SMD/SMT
    封装 Cut Tape, MouseReel, Reel
    最小工作温度 - 40 C
    最大工作温度 + 150 C
    封装 / 箱体 NI-1230H-4S
    增益 23.7 dB
    技术 SI
    输出功率 1.5 kW
    晶体管极性 N-Channel
    Vds-漏源极击穿电压 - 500 mV, 135 V
    Id-连续漏极电流 2.4 A

    库存:57,265

    交货地:
    国内
    最小包装:
    1
    参考单价:
    ¥1,245.3829
    数量 单价(含税) 总计
    1+ ¥1,245.3829 ¥1,245.3829
    5+ ¥1,232.6203 ¥6,163.1015
    10+ ¥1,192.7105 ¥11,927.1050
    25+ ¥1,166.3831 ¥29,159.5775
    50+ ¥1,160.4953 ¥58,024.7650

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