MRF6V10010NR4
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 10W PULSE PLD1.5
- 制造商：
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS：
- 无铅/符合RoHS
- 供货：
- 商城自营
文档与媒体
| 数据手册 | MRF6V10010NR4 点击下载 |
|---|
产品规格
| 产品属性 | 属性值 |
|---|---|
| 产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | PLD-1.5 |
| 增益 | 25 dB |
| 技术 | SI |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
库存：59,795
- 交货地：
- 国内
- 最小包装：
- 1
- 参考单价：
- ￥433.1817
| 数量 | 单价（含税） | 总计 |
|---|---|---|
| 1+ | ￥433.1817 | ￥433.1817 |
| 5+ | ￥427.6024 | ￥2,138.0120 |
| 10+ | ￥411.4904 | ￥4,114.9040 |
| 25+ | ￥400.6492 | ￥10,016.2300 |
| 100+ | ￥370.8491 | ￥37,084.9100 |
| 200+ | ￥359.7522 | ￥71,950.4400 |
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