MRF6V2150NR1
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 150W
- 制造商:
- NXP Semiconductors
- 无铅情况/RoHS:
- 无铅/符合RoHS
- 供货:
- 商城自营
文档与媒体
数据手册 | MRF6V2150NR1 点击下载 |
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产品规格
产品属性 | 属性值 |
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产品目录 | 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Cut Tape, MouseReel, Reel |
最小工作温度 | - 65 C |
最大工作温度 | + 150 C |
封装 / 箱体 | TO-270-4 |
增益 | 25 dB |
技术 | SI |
输出功率 | 150 W |
晶体管极性 | N-Channel |
Vds-漏源极击穿电压 | 110 V |
库存:54,942
- 交货地:
- 国内
- 最小包装:
- 1
- 参考单价:
- ¥409.4456
数量 | 单价(含税) | 总计 |
---|---|---|
1+ | ¥409.4456 | ¥409.4456 |
5+ | ¥403.2493 | ¥2,016.2465 |
10+ | ¥389.0588 | ¥3,890.5880 |
25+ | ¥377.7857 | ¥9,444.6425 |
50+ | ¥374.2513 | ¥18,712.5650 |
100+ | ¥350.7091 | ¥35,070.9100 |
250+ | ¥345.3766 | ¥86,344.1500 |
500+ | ¥322.8833 | ¥161,441.6500 |
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